0.13um工艺能用1.5V电压做模拟么？

0.13um norminal电压应该是1.2V+10%，但是模拟电路中能用1.5V电压而不影响可靠性么?因为模拟电路中各个管子的VGS，VDS应该都到不了1.2V啊。另外，CMOS工艺中这些电源电压是指哪两端的电压极限呢?栅氧击穿的VGS?punch through的VDS?还是其它什么的?挥泪跪求有经验的前辈指点。

我用.11工艺还用过3V的电源，可靠性是有些影响吧~
1.8V下能用十年（算的），再往上就很短了~主要是VGS,VGD，VDB/VSB也要考虑~

在1.5V power 下用几个core device 问题不大，确保所有vgs/vgd/vds都不超过1.2V
如果直接core power升到1.5V，难免会有overstress issue的device。
正常情况下 minimum length mosfet punch through最早发生，然后是gate oxide breakdown，最后是source/drain junction breakdown

我也是遇到类似的问题
RF电路共源共柵结构，180nm工艺的最大gds之间电压1.98v，我很想用3.3
算了下，共源共柵结构应该没什么问题
补充一下，我看了工艺手册，Vgds两两之间最大1.98v
Vgb最大3.4v
所以我觉得d接3.3，s接1.5v左右，g接2.1左右应该没有问题
warming全开，spectre的也没有出报告warming
正准备流片，求没事

.13用1.5V电源，没问题
市面上销量超亿颗的某芯片就是这么设计的，放心的用，不需要任何trick

谢谢这位大大，这个寿命怎么计算呢?那你那个0.11um 3V的最后老化测试下来能过多少小时?谢谢

谢谢这位大大。我感觉在模拟电路中，正常工作状态，一般都有两三个管子叠在一起因此VDS应该还好，并且VGS都是bias设定好的，不会过高。不知道在上电下电的时候是不是要特别处理。

谢谢这位大大。等着大大的好消息，到时候一定要交流下结果，不过这个得做aging test 看过寿命后才能验证吧?

是最小沟道么，如果是数字电路的话1.5V有点高吧?这听着有点悬啊，是不是人家在工艺上做过处理?或者说这个产品对寿命的要求不是太严格?求大大进一步指点啊

是0.13LP吧?如果是LP, core device 是1.5V的。

不是啊，是那种1.2V电压的低阈值的。大大说的0.13LP是个什么概念?

.13 一般有两种，0.13G 是1.2V core, 0.13LP 是1.5V core ，速度慢但是leakage 小。 40nm 65nm 都有这种区别

1、看工艺手册，最大耐压是多少?
2、你的电源电压会不会overshoot?

实在想评估一下，可以自己去tsmc网站测试

if you design I/O PAD, the +20% or higher voltage simulation is meaningful, in other case the simulation is not meaningful. if you want to test reliability of the circuit, you may test the chip not simulate circuit.