5V制程NMOS power switch如何解决耐压问题?
时间:10-02
整理:3721RD
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用5V制程做NMOS power switch,gate端用charge pump升到10V,chip Shutdown时用NMOS对power switch的gate电位进行下拉,那么下拉管的VDS要承受10V压差,很可能被打坏,请问各位大侠,有什么好方法解决这个问题吗?多谢了!
堆叠管子了。
为什么不关掉charge pump?
5V制程怎么可能承受10V,除非你任何时刻都保持每个管子的DeltaV都在5V以内,堆叠功率管不是好办法