电流镜镜像电流受电源电压影响

会不会是沟道调制效应引起的?

L=1um ?

可以的话，改个cascode试试

这个应该正常，两个MOS的VDS差异很大，想精确copy，可以用cascode来shielding较大的VDS变化！
这个要看应用！

NM17 管的漏电压几乎正比电源电压变化，而NM17的L=1um，这个管子沟道调制会很强。而且这个管子的沟道会产生较大的衬底电流（糟糕哦，热载流子），你可以看下VDD=6V时，这个管子衬底电流有多大。至少几百nA把。建议增加NM7 L长度，或用cascode。

用Cascode效果比增加L好

看到了1920x1080产生了强烈的要抛弃我那相依为命的m350c的欲望

你好，请问衬底电流与沟道调制效应有什么关系啊?

两回事，我知道的没什么关系
回复:lovelybei

感谢大家热心的解答，采用cascode形式无疑是个好办法。
相信大多数做反向设计的同学都会遇到一些牛公司的芯片里面，不可思议的器件尺寸，该结构的尺寸我一开始就怀疑替换工艺会出现问题，故拿来和大家讨论，分享。

你做反向的?

这个问题不重要！在国内的企业，你要说你是全正向的，我保持沉默.......

呵呵，就是问问。增大L不是很省事相比于cascode。

全正向的飘过。

你在NM17上面加了个电压源么?如果是，你指望他一样?

你说的问题肯定存在，TI都是自己的foundry，NS已经被TI收购了。我听MPS（芯源）的人说他们虽然是fabless但是公司会有专门的工艺工程师进驻代工foundry，开发自己的工艺。技术壁垒是保证利润的必需品。

哥们，针对这个技术问题，说点有用的建议啊！

我也就是一个初学者而已。

增加L是省事，但作用有限，基于现有尺寸做优化使两个漏电压接近可能会看到一些改善，用cascode可以得到显著改善，其它高输出阻抗结构电流镜也可以用来改善电路性能。

Mark！期待后续

沟道调制效应挺大的，L取5u以上，会好很多
如果做成cascode，精度会在1%以内
我自己仿过

那也要看代价的，cascode需要额外的偏置。稍大的L可以改善的很好的。

其实做模拟设计，很多时候就是在做折中和取舍，达到总体优化。优化水平也正体现了设计者的水平。