顶层金属接地

顶层金属做FIB?

想要再bonding比较困难，但是可以连到已有的power net上

你流的片顶层金属是铜的?呵呵。相信我，那不是铜的。
刮开镀金，听起来可行。但是怎么刮，顶层钝化层的厚度参数你有么?就算你有参数你有那么高精度的工具么?如果是用小刀刮，那我劝你算了。其次，如果是电镀金的话不好邦定，磁控溅射和CVD的金可以。还有，你版图做好不做lvs的么?如果顶层金属只是接地屏蔽而没有互联作用。你可以不动它，找个屏蔽好点的环境做测试吧。

我想到个方法，你可以用探针（钨针）扎穿钝化层扎到顶层金属上进行测试。但是要非常小心。太用力了就会扎碎了。可以用两枚探针配合金相显微镜，用万用表测到两针导通了就停。还有关于电镀什么的你可以无视了。没法接导线就没法电镀。

FIB成本是不是高了点?

请教一下顶层为什么不会是铜?没有工艺支持吗?

你百度一下“铜互连”。铜离子比较奇怪，工艺复杂度很高，成本很高很高，只有非常大规模的CPU里会用。铜互连可以有效的减小引线电阻，电迁移效应等等。既然能让小编犯这种错误，那么版图肯定是手画的。这和铜互连的应用领域不符。

0.13um之后几乎都用铜互联了。
只有最顶层金属是铝，用来做bondpad，一般叫作 AP 或 AP_RDL 层。
LZ这种情况做FIB吧，如果是量产的话就得respin一次顶层金属了，不过这层掩膜还不算太贵。

"铜互连”似乎搜不出来啥有用的信息嘛，不过copper wire bonding 确实越来越多的被使用起来了，而且成本是比金线便宜的。

你看到的黄颜色的金属可能是CuAl合金，除非是专门的工艺开率在顶层镀金实现低阻抗和高频应用，例如顶层再制造一个片上变压器或者类似2D，3D结构。如果是大电流输出的Power类芯片，顶层金属使用大马士革结构的铜层合金也是常见的，但是金属密度需要大一些，满足大功率输出的要求。

FIB 4颗芯片 互连几根顶层金属走线，5000人民币以内搞定！

我说的是他的电路顶层不是铜。他说要镀金打线来着。我可没说我看到过顶层黄色的金属。

几乎?好像没有吧?

FIB应该可以。