做FIB用的顶层金属方块边长和开窗一般是多大啊？

这个“开窗”指的是在钝化层上开窗露出顶层金属的意思吗?
如果是的话，那么foundry给的rule都是有明确定义的，比如PAD的开窗，CSMC0.5工艺用在PAD opening上的开口定义为CP，最小是90μm*90μm，但是当金属做熔丝需要开窗时可以不按照这个最小尺寸来，可以做的更小（DRC可能过不了，但是忽略这个问题），同样，做测试用的顶层金属开窗也可以不用做到90*90，你问需要开多大，以及有么有厂商可以做这样的测试，答案是当然可以的，在中测的时候，片子还在整个wafer上，没有划片，直接用探针扎上去，需要开多大口的问题你需要联系帮你做测试的厂商问问他们，但是一般超过10*10就应该是可以的。

多谢！开窗指的就是这个意思
CP时候的probe PAD固然大，边长几十um，无论是做poly fuse的PAD,还是仅仅发送数字信号的PAD都一样。
我说的是封装后，到lab开盖做FIB，直接用探针去扎这个点，用示波器看信号debug

这个你有点想当然了吧，你确定可以封装完了回来“开盖”做测试?这个方法我不清楚啊，我知道的是直接在wafer做测试，论坛里有很多大牛，见识广啊，等着他们来回答吧······

我试过在展芯试过这样测DC电压，开盖后，可以挖开钝化层，生成20X20u左右大小的PAD，这个PAD连接到需要测试的那条metal上。然后拿到探针台上给芯片上电，再probe那个PAD。不过生成这个PAD的过程很慢，一个小时生成一个，而且收费比上普通探针台操作贵，一个PAD也就用探针扎个两三次就氧化掉了。

这个经历确实有意思，应该是在超净间里面做的测试吧，而且这个实验应该是测的别人的芯片?如果是自己的芯片完全可以事先预留测试窗口，不用一个个挖啊。另外，这种方法也只能测芯片边缘的预留PAD，实际上，一个芯片初次流片时应该是可以在整个芯片的任何位置（而不是只能在边缘）预留一个稍微大一点面积的顶层金属，并在这个位置上定义一个pad opening，这样的测试更灵活。

忘了是不是超净间了，进那实验室的时候鞋要用塑料袋包起来，PAD是另外一个实验室里面生成的。
是自己做的芯片，不过整个芯片都没预留探针点，少数的芯片出了问题只能用这个方法，弄了很多天
就是请教这个顶层金属和开窗的一般大小

对于淀积pad大小你一般不用关心啊，因为这个都是按照个来收费的，你想淀积多大基本都可以。一般fib淀积线比较费时间，是按照操作时间收费的。线宽在北京基本是1μm吧，其他地方服务不知道。
开窗--- 都是操作人员关心的事，其实你不必太操心。

开盖点的探针有软针和硬针，软针有1u的，硬针一般最小10u，你的开窗够大了啦，

看探针大小

谢谢大家！就是问这个FIB探针的大小