镜像电流源产生精确电流值重要吗？
我是不是只有调整这条支路上的mos管才能改变这个电流?
这个跟沟道调制有关吧，我开始W/L设置为2.4/1的时候差距有几ua，改成9.6/4后就只差0.5ua了，还能继续调的更好吗?
W/L分别和20W/L，40W/L的组成电流镜，但是电流有偏差，一个20u，一个是42u，这个差距是因为后者VDS过大吗?还是因为负载的原因导致的?（书看的少，但是要赶论文阿）
沟调的问题，重点是要让vds接近
简单点就cascode电流镜，这个基本足够了，复杂的就用点新结构
电流拷贝只能保证gate电位相等，所以拷贝精度直接受到vds电位影响，那么增加L长度可以取得很好效果。一般拷贝的时候L我选为8u以上。
另外成倍拷贝最好multi拷贝，不要通过修改w来实现，想想为什么
恩VDS差的有点多
我想应该是管子宽长比太大，制造容易产生误差，然后多个并联还可以降低电阻吧
关键还是看你对于精度的需求了，一般场合增大L已经可以做得相当准确了
做精准电流镜的方法：增大L，镜像的W/L一样是，增加个数，或者用cascode结构，或者用运放新结构在Vgs相等条件下，保证VDS相等会非常精准，但是多极点电流镜会有过冲。
同意LS
哪种process下你选用L=8u?
你这个就有点扯了 呵呵，一般2-3倍 minimum value就差不多了，面积和电容也要考虑的
一般8u?！
.5 BCD的工艺
多谢指正，L取2~3倍拷贝对于大部分场合是够了，但是这里LZ说要精度高一些。
2-3倍是不是有点小，特别是对于180nm以下的工艺?
谢谢回帖的朋友。原理我明白了，但是实际调起来的话。还是直接上图吧
结构是普通的带米勒补偿的2stage运放。NM2只有27ua，NM3有90ua，Vds2只有200mv，但是足够让NM2工作在饱和区，我想这里差3ua的原因就是NM2的vds太小了吧，我给NM2的L=4u，按道理，沟道调制效应应该很小了。请问我该怎么让电流更精确呢?
在不改变结构的情况下，可以把电流调的更好吗?
改变结构呢?
刚才没注意NM2工作在线性区，所以电流没到30u，也很正常。
可是，我为了把NM2调整到工作在饱和区，分别扫描了差分输入对管NM0和NM1的W/L，和有源电流镜PM0和PM1的W/L，发现NM2的VDS随着以上4个管子的宽长比变化不大。所以就算能通过调这几个管子的W/L使得NM2饱和，但是也很临界，也只能是刚刚好
这个电路的电压源是3V，2个输入直流电压给的1.5V，所以在这种状况下，我必须要调整输入直流电压吗?
还有一个问题。我测量失调电压使用单位增益负反馈连接。电源3V，如图，那么我共模点的直流电压必须要取1.5V吗?还是说只要电路正常偏置的值都可以
问这个问题的原因是我的cascode op 测量的失调电压只有3uv。
自己多看书，基础太差
对于给定电流的NM2，想要工作在饱和区，只能减小过驱动电压，靠增大vds是很难的。其实dc点的设计就是一个饱和电流公式，想不明白这有啥难的?
NM2工作在饱和区，则有Vin,cm >Vgs1+Vgs3-Vth3 ，对NM2，由偏置电流源产生的Vbias=1.15V（电路仿真的结果），过驱动电压Vgs-Vth=0.4V，那么Vin,cm=1.5V 感觉是可以满足偏置条件的，只不过仿真中差分输入mos管对的Vds过大，导致了NM2工作在线性区，你说要降低过驱动电压，是不是要降低Vin,cm?