MOSFET的VGS和VDS有什么区别

去看一下半导体器件

如果你连一些基础得知识都不了解得话，你应该多看看书，而不是在这里来为了挣得一点点得积分而浪费时间，这样不值得

基本上每本半导体器件书上都有吧

dabing好牛啊,学知识不会觉得耻辱吧.哪个人刚刚学习都会懂.只是想得到大家一些总结.积分要那么多也没用,又不是RMB.能送我可以全送给你.觉得浪费时间你可以不回呀.

vgs-控制沟道是否开启

VGS是栅极和源极之间的电压降，确定晶体管的工作状态：导通/截止，或者弱反/强反/速度饱和；VDS是漏极和源极之间的电压降，模拟电路中控制晶体管工作在饱和区或者线性电阻区。

D: Drain
S: Source
G: Gate
B: Bulk
明白了这几个电极，你的问题也就明白了。

支持楼上的，随便看一下书就OK le

呵呵，是该看看书哈

无语！这也叫问题?

任何一本讲模拟电路的书上都会有的
基本上都是在前两三章

哎～！无语啦～！

kkkkkkkkkk

看看書吧.

呵呵,不错的帖子

随便找本模拟ic的书，看看前两章就知道了，如果前两章都不想看，那这个问题也就没必要问了

资产如此之多的人提出如此貌似简单的问题，可以想象小编是想得到很深刻的、独到的、有深度的答案，最单的问题也许最难回答，好比“为什么大家都认为1＋1＝2?，果真1＋1＝2?”，显然，不同层次人的答案是不一样的。

严重同意～ 每个人看问题的角度都不同

有道理顶一下

有理！

好帖顶顶好帖顶顶好帖顶顶好帖顶顶好帖顶顶好帖顶顶

vds = voltage between drain and source
vgs = voltage between gate and source

呵呵
小编讲的很对,支持哈

可能随便拿本书一上来就讲VGS VDS ,所以不明白了吧

看看参考书

小编有什么高深的思想就直接提出来吧，我们不明白啊

请小编提出自己的深层次的见解，方便大家展开阿

支持 dabing

有意思,很有意思