CMOS工艺中是不是所有NMOS管的衬底都要接地

no, you only need to bias it to be the most lowest voltagebiad point use the same isolate well to reduce body effect.

如果是p-substrate 而且没有deep-nwell, nmos 必须连最低点。

你好，谢谢你的回复。是这样的，我用了一个阈值电压为负的NMOS管做电容用，NMOS的栅做上极板，源、漏和衬底（衬底用P+注入的隔离环充当）连在一起做下极板，这样做在下极板接地的时候LVS没问题，但当下极板不接地时（这时候NMOS的隔离环也就是衬底没接地）做LVS过不了，一直提示要把NMOS管的衬底接地，不知高手能否指点一二。
PS：你说的把NMOS做在N阱中，隔离环可以用N+注入，这样隔离环（也就是衬底）就不用接地了，我也试了这种方法，但drc通不过，提示说P衬底不能做在N阱中，可能就是指N管不能做在N阱中，迷茫啊，望高手指点。

需要deep-nwell，deep nwell 不是普通的nwell.
你需要把衬底连到gnd

上下极板互换一下，栅极接地，源和漏及衬底接信号源是否可以呢?

不行，如果你所使用的工艺没有DNW这层的话，NMOS管的衬底只能接地！

确实需要DNW才行

衬底接法比较纠结，希望有经验的大虾指点啊

看你用的CMOS工艺库中有没有带DNW的NMOS管，没有的话只能接地