求教NMOS衬底接负电位时的导通问题

小弟现在做到一个NMOS管，衬底接了-15V，漏极接到5V，删极和源极都接0V，请问这个时候MOS管是否已经导通?如果要它不导通，衬底最低可以接到多少负电位。
问了工艺线的工程师，说没有这项参数，真心向各位大虾求教。

求教NMOS衬底接负电位时的导通问题
这叫什么接法?有什么用途?
不管怎么接，你用spice仿真一下就知道导通没到同阿。应该是没导通。

求教NMOS衬底接负电位时的导通问题
For Vd=5V, Vg=0V,Vs=0V,Vb=-15V,Vth=0.7V(for average NMOS transistor )
So Vgs=Vg-Vs=0-0=OV < Vth=0.7V, the transistor is cut off.
Another problem, Vsb= Vs-Vb=0-(-15)=15V, the voltage difference of Sourec and Bulk must cause body effect which will impact performances of your desgin.

悄悄问下，你用几V工艺啊，漏极到衬底没被击穿?

照你现在的情况，肯定是不导通的。
但是你要保证栅氧不被击穿以及衬底-漏，衬底-源的二极管不被击穿。

回复 #1 三十七点五度 的帖子
Cut-off.
Vsb will lead to Vth increase.
You can refer to body effect.

算一下带衬偏的阈值不就知道了?

nmos管的物理特性表明管栅极没有接入电压时也使会有少量的漏极电流的
你这个还涉及到二阶效应，还要结合实际情况分析

还涉及到二阶效应，还要结合实际情况分析

衬底电压越高，Vth电压越大，所以应该不道通！

MS已经击穿了吧
IC里有这么用的吗

不导通，因为管子的栅源电压小于阈值电压

栅漏至少要一个开启电压才能导通，不过是特殊管的话例外

会不会是耗尽型的管子?

如果是一般的CMOS工艺的NMOS管的话，很可能已经快到达漏衬击穿电压了！

20v的漏衬反偏电压 管子很有可能被击穿
LZ 你确定你漏端接的是5v而不是-5v?

不能导通，还会有体效应，

栅极和源极接在一起, MOSFET处于截止状态！

为了急于占领市场，昨天记者了解到，诺基亚宣布其最高端产品Lumia900在美价格下调一半，不过这款产品在中国市场的售价暂不会受到影响。

低压管的话d tob肯定击穿了

1. 衬底接负压，会导致VT增大，更不容易导通。看一下体偏效应就知道了。
2. 你的工艺是几V的，衬低接-15V，是否会导致栅到体的击穿或源漏到体的击穿?这是个问题。你现在的VGB=15V，VSB=15V，VDB=20V，在其它情况是不是会有比这个更高的电压出现，耐压是否够?