为什么MOS用1,0,0的wafer

no body knows?

硅基(1,0,0)晶向在制作栅极是形成的表面态较少,能使MOS管产生更好的性能

谢谢回答！Bipolar用1,1,1方向只是因为好切割吗?

又学到东西了，哈哈。
不过能解释一下为什么100表面态少么?Bipolar在111面，这么说Bipolar不受表面态影响?不懂，求助！

问了一位做工艺的，都到了结论：
硅基(1,1,1)晶向的确容易切割，但不是这个原因。真正的原因是比较容易生成NWELL。而用硅基(1,0,0)晶向生成NWELL的话，不但注入的时候要偏个角度，还要进行高温处理。
硅基(1,0,0)晶向的硅与SiO2的接触面会产生较少的缺陷，适合做MOS的GATE---

准确的说（1，1，1）晶面密度很大，（1，0，0）晶面密度小
在注入推结过程中（1，1，1)晶面能够容易精确控制
因为bipolar是纵向器件，更多要求纵向精确尺寸
MOS是表面器件，使用（1，0，0）晶面可以缩短PROCESS时间

very useful information

谢谢

楼上各位吉祥~
回答得好！

表面态，扩散，注入深度