求CEDV算法的应用设定

刚接触CEDV算法的板子（BQ3060,BQ78350-R1)，了解了学习的过程，但不了解在学习前，学习后用EV2300/2400应如何设置， 求TI的大侠们协助：

1.  电池串联数更改。 要改哪些参数

2. 容量更改  要改哪些参数

3.学习后等到若干个文件，应如何应用，要改哪些参数

4.如何判断学习过程是否正确。

谢谢

没人帮忙呀，看样子TI没救了

TI没救了？你这么说，别人都不想搭理了。

因为你问的问题，别人无从下手。我也只能简单跟你讲一下：

1.明确的电芯的各项参数，配置好data flash里面的保护参数，例如，过压保护，欠压保护，过流保护，短路保护，高低温保护，这些保护都分有一级保护，二级保护

2.配置好setting选项，这个主要选择开启那些功能

3.配置好容量，能量值，高级充电等

4. 用分容柜做出EDV参数，填入data flash

5.充放电老化，max error更新到3%以下，说明学习成功

其实你看一下IC的应用手册，好好看，就会知道如何填写data flash，还有联系的你们代理的FAE要一些基础教程，这些都是要靠个人学习的，不能一句TI没救了，就完事，毕竟产品是自己做的

谢您了。

帖子我放了3天没有人理才郁闷。

我是应用板子的不是设计，板商只是告诉我很复杂需要他们来做参数设定，客户做老化，但现在成功率很低 （max error和FCC总是不对)，效率也低，客户不满意，工程的角度我确实想cut掉这类产品，但眼前的客户要打发。 只好求助：我们的问题是我们买了板子之后配置电池，厂家把板子做了基本设定，我们只是改容量，但具体怎么做就模糊了，只知道要做3个温度学习，我有一点设定电阻追踪型板子的设定经验，所以保护部分设定没有问题，但CEDV其他还要设定什么就不清楚了。

比如学习前是否只 设定保护， design capacity， Qmax设定？ 学习后是否指改EDV0,EDV1,EDV2 三个参数？那一步完成后要复位？ 我确实没有找到相关的说明，