LP8860 EEPROM 配制

Hi,

现在用LP8860做屏背光驱动，想要配制EEPROM

要求：输入12Vdc，输出27Vdc，电流4*80mA, 电流控制方式PWM输入控制

1，有没有EEPROM配制参考？

2，首次EEPROM配制好后，每次起机是否都要重新写入？

EEPROM用于存储LP8860的控制模式及各种参数，，设计者可根据应用手册 http://www.ti.com/lit/an/snva757b/snva757b.pdf 来选择对应的版本。 LP8860-Q1使能后，首先读取EEPROM值并拷贝到对应的寄存器，软启动开始并升压输出。

1根据应用手册SNVA757B中table1， . 当前设计可以使用H版本的芯片，或者使用其他版本芯片并烧录H版本的EEPROM值，H版本的EEPROM值见table18,对应的原理图为figure 8

2. 根据table1, H版本的VDD是5V且禁止内部的charge pump, 如果VDD是3.3V则需时能charge pump, 则EEPROM 0x70值由C4改为C5, 0X76值由8C改为8E. 如有其他的需求,则更改相应的EEPROM的值即可.

3.MCU/处理器可对EEPROM进行重新烧录，出厂时烧录一次即可, 出厂后升级可重新烧录，但不要超过1000次 。烧录流程如下.

1. VDDIO/EN 脚拉高使能LP8860-Q1

             2. 解锁EEPROM，解锁代码写入寄存器0X1A，

                                     a.写0x08到0x1A寄存器

                                     b.写0xBA到0x1A寄存器

                                     c.写0xEF到0x1A寄存器

             3. 写入EEPROM，配置值依次写入0x60～0x78寄存器（每写一个寄存器等待20uS）

             4. 开启EEPROM 烧写，写0x02到0x19寄存器，

             5. 等待200mS

             6. 完成EEPROM 烧写，写0x00到0x19寄存器.

 注意:在烧录EEPROM前，需禁止PWM和PLL。

4. 烧录校自校验

 在实际的操作中，EEPROM的烧录通常由处理器或MCU完成，这样可以简化生产流程以及方便后续的升级。如果烧录失败，LP8860-Q1则无法正常工作，为此，可靠EEPROM烧录及校验是非常必要的。以下给出了一种EEPROM烧录后的自校验方法，省去了生产线上单独为LP8860-Q1烧录EEPROM的工序，系统升级时，将烧录成功标志位P_S清零后，即可实现对LP8860-Q1 EEPROM升级配置。

您好，请问fpd-link iii你调通了吗？

希望联系到您，解决该方案（925+940）的问题！

请加QQ：173490506