充电过程中会烧毁MOS管
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
两节充电电池串联,输入电压22V,输出电压8.4V,充电电流为250mA,发现很容易烧毁充电电路中的MOS管(不是必现,但是会经常出现),MOS管的VDS,VGS的参数都满足要求,请问下是什么原因造成的
如图所示,用的是如韵电子的CN3762充电IC
请告知您的芯片型号,MOSFET的位置(应该不止一个),MOSFET的型号等,以便分析,另外,设计问题也有可能导致烧MOS
谢谢!
我选用的不是你们TI的充电IC,是其他厂家的IC,目前更换了各种型号的MOS管,都会出现被烧毁的现象。
Hi
那你得找对应芯片厂商啊,或者你将电路传上来,让大家看看是否能帮到你?
如图所示,用的是如韵电子的CN3762充电芯片
Hi
FDC654P是30V管,你的输入时24V,很可能是你输入连接较长导线,存在较大寄生电感,在启动瞬间时间输入会存在较大Spike, 这个你可以通过示波器做启动测试确认到。同时你输入只有0.1uF太小。
如果是这样,建议你在输入增加一个220uF的电容(可依据测试减小一点)
谢谢!
mos管换成FDC5614P,VDS=60V,还是会烧,输入端为第9脚,有一个10uf的电容
栅极电阻用1K太大了,这样会导致mosfet开通和关断时间太慢,mosfet发热严重,建议换欧姆级别电阻或者不接
谢谢!
确实如此,之前将该电阻换成0欧,还是出现过一次烧mos管的问题,后来又换了几台,就全部ok了