关于BQ24620充电发热烧毁IC问题

各位前辈，我是初次使用BQ24620来做充电管理，前级输入是9-12.6V，用LM5122来做Boost到18V，后面用BQ24620来做充电管理，限制在14.5V/7A，目前遇到的问题是其他功能都很稳定，就是BQ24620发热严重，铅酸电池一次没有充满IC就会烧毁。   我咨询过FAE，说是Qg过大导致。  不过我换成AO的4304 SO-8封装来带载7A就可以，只是MOS发热大一些。  但是用QM3018D TO252 Qg=13.8nC Rds=3.8mR、TI的CSD18504Q5A QFN5*6  Qg（4.5V）=7.7nC Rds（4.5V）=7.5mR，CSD18503Q5A QFN5*6,CSD17573Q5B QFN5*6都是发热很厉害。请问各位有没有什么解决办法？

1、加大IC的敷铜面积，加强散热

2、驱动到MOS管栅极串联一个驱动电阻加二极管，减缓一下驱动冲击电流，虽然会增大开通速度，但对于降低IC温度有可能会有改善。