BQ24170 充电损坏MOS

输入13.5V， 对3串电池充电，有路径管理。系统功率100W。

小批量试产100套产品，PCBA生产测试均无问题， 到客户处使用一段时间后， 问题开始出现。

现在约有10PCS 不良品，客户退回3PCS。拆开发现Q2处MOS有损坏，GS 直接导通，导致无法充电。电池对系统供电线路正常。

由于设备功率较大，Q2处使用3个N-MOS并联，3PCS 充电板此处MOS 都有坏一个。

注意，是坏了1个，其他两个都正常。我是拆下来单独测试MOS。

然后换掉损坏的那一个MOS， 其他两个MOS再贴回去。测试充电正常。

电路部分完全是按照TI 参考电路来做的。

烦请TI 技术指导一下。可能导致此问题的原因。

MOS 参数

TI 的大神帮忙看看啊

顶一下，别沉了

应用来看，2个MOSFET足够了。 你可以测试下实际工作的时候VGS电压是多少V？MOSFET有无完全导通

@Xinming Gao,

充电过程中， 充电结束后， Vgs 电压均为 5.2V。 MOS 是完全导通的。

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Vgs按道理会比Vadapter大个5伏左右。

充电过程中， 充电结束后， Vgs 电压均为 5.2V。 MOS 是完全导通的。