BQ24170 充电损坏MOS 问题
时间:10-02
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输入13.5V, 对3串电池充电,有路径管理。系统功率100W。
小批量试产100套产品,PCBA生产测试均无问题, 到客户处使用一段时间后, 问题开始出现。
现在约有10PCS 不良品,客户退回3PCS。拆开发现Q2处MOS有损坏,GS 直接导通,导致无法充电。电池对系统供电线路正常。
由于设备功率较大,Q2处使用3个N-MOS并联,3PCS 充电板此处MOS 都有坏一个。
注意,是坏了1个,其他两个都正常。我是拆下来单独测试MOS。
然后换掉损坏的那一个MOS, 其他两个MOS再贴回去。测试充电正常。
电路部分完全是按照TI 参考电路来做的。
烦请TI 技术指导一下。可能导致此问题的原因。
图片1: TI 参考设计图
图片2:MOS 管参数
楼主,帮你转电池板块看看
谢谢, 我两个板块都有发, 没回复啊...