EM能力

IC内部一般采用金属薄膜来传导工作电流——称为互连引线。随着芯片集成度的提高，互连引线变得更细更薄，电流密度越来越大。当电子流过金属线时，将同金属线的原子发生碰撞，碰撞导致金属的电阻增大，并且会发热。但是在一定时间内如果有大量的电子（大电流密度）同金属原子发生碰撞，金属原子就会沿着电子的方向进行流动，这种现象就是电迁移（EM)。
电迁移能使IC中的互连引线在工作过程中产生断路或短路，从而引起IC失效。其表现为：
①在互连引线中形成空洞，增加了电阻；
② 空洞长大，最终贯穿互连引线，形成断路；
③ 在互连引线中形成晶须，造成层间短路：
④ 晶须长大，穿透钝化层，产生腐蚀源。
为了避免电迁移效应，可以增加连线的宽度，以保证通过连线的电流密度小于一个确定的值。
通常EM效应引起的问题是电源网格电阻增加，从而导致IR降增加，从而影响电路时序。
抄来的供小编参考一下

EM(electromigration): 对于作为互连线的金属层来说，在一定的制造工艺下，它所能通过的最大电流是有一定限度的，否则，过大的电流就会将金属连线断裂，这种由于电流引起的失效现象称为EM

powerEM: power net上的
signalEM：signal net上的，40nm以下的最好跑一下

谢谢各位

谢谢各位的解答

受教了，非常感谢分享

请问你做过singal EM 分析吗?跟power em分析有啥不同?如果有问题的话，是不是也是把信号线变宽?听说可以加buffer可以解决singal em?

非常感谢！

widen wire可以解决em问题，

受教了

小编您好，请问signal EM问题一般是什么原因引起的?不胜感激

走线太长或者驱动管太大。可以通过插buffer解决。

走线太长，会引起EM问题?是为什么?