SVT LVT 物理区别

请教各位大神，分3个问题：
1. LVT速度比SVT的快，是由于开启电压低引起的吗?
2. 那些物理层面的差异导致不同的开启电压，Poly的厚度?掺杂浓度?或者是其他方面?
3. 16nm比较于28nm，pin capacitance是减小了还是增大了?为什么?
谢谢了。

1. LVT速度比SVT的快，是由于开启电压低引起的吗?yes
2. 那些物理层面的差异导致不同的开启电压，Poly的厚度?掺杂浓度?或者是其他方面?
掺杂浓度
3. 16nm比较于28nm，pin capacitance是减小了还是增大了?为什么?
not quite sure about pin capacitance, if you mean gate capacitance, 16nm one should be smaller, 'cause of smaller gate area

受教了，多谢。

什么是pin capacitance?能大概讲一下吗

可能描述有错误，我想表达的是GATE CAPACITANCE。谢谢。