请问smic65工艺，encounter的DRC错误

到GUI中看看具体情况先

谢谢，是这个GUI吗?

看下cell layout view，fillNotch了没，
最好到calibre drc 看看， edi的很多 violation 是假的

多谢，fillNotch怎么弄?

就是fillnotch啊，直接打命令

谢谢！再问一个关于filler的问题，有三个选项Add Well Tap.....Add End Cap....Add Filler....
这三个有什么区别，怎么保证所有的位置都加上呢?

add filler就是add filler， fillerC（带cap的filler），旨在减少nw , sp, sn的min spacing error，也把这些东西连成一片，fillerC还有去耦的功能，保证电源的稳定性
add welltap是给nwell和psub加偏置，满足反偏置条件， 防止latchup ，一般在floorplan的时候加好，
-checkboard 可以减少数量，
add endcap是针对triple well工艺或者防止ose，pse效益而加，维持一个闭合的nwell，
或者增加yield，防止od， po的周围环境不一样，多用于65,45nm下的工艺

我昨天只用了add filler这一项，今天DRC时，报错：Latchup.Guidance.3_b:Maximum space from any point within Source/Drain reginon to the nearest pickup AA region inside the same well for I/O and internal circuits.
是不是因为没有用add welltap这一项?其中add welltap菜单中，各个选择项怎么确定啊?
Cell Name选择项：有FILLCAP*_A12TL，FILLCAPTIE*_A12TL，FILLTGCAP*_A12TL，FILLTGCAPTIE*_A12TL，FILLTIE*_A12TL类型的，我应该选哪一种类型呢；
MAX.Gap between cells along row应该填什么数值（我的core面积为100x140）。
谢谢了！

这个是fill welltap引起的问题，选FILLTIE吧， 是smic的 6512track lib吧，
distance 选119 ，

我用add welltap这一项，选了FILLTIE，但DRC还是有Latchup.Guidance.3_a错误。其中add filler选项有FILLCAP*_A12TL，FILLCAPTIE*_A12TL，FILLTGCAP*_A12TL，FILLTGCAPTIE*_A12TL，FILLTIE*_A12TL，FILL*_A12TL，WELLANTENNA2_A12TL，ENDCAPTIE2_A12TL，我都选择加入了，是不是与这有关啊?

看看厂家给的stdcell library的databook，它告诉你那些怎么分类，干什么用的
我看你选的单元乱七八糟的，出问题很正常

mark~

为什么是119呢

谢谢，学习