微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > IC后端设计交流 > 关于double pattern的几个问题

关于double pattern的几个问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:



(1) “the top level and blocks are integrated” 会出现odd cycles违例;但从图中画的两个红色圆圈中并没有看到此类违例啊?
(2) 避免这种错误的方法,其中有两个1) 增加block pin的长度2) 对于block pin,Skip at least 1 track for every 5 pins
对这两种方法如何避免这种错误不是很理解;

pin变长了,自然就没有odd-1的问题了啊,
skip track也是一个意思,就是不要layer 紧挨在一起

小编,对于第一个我还不是很懂,为什么pin变长了,就没有odd-cycle的问题呢

pin长了, top就能看到很多问题了。不过貌似不能从根本解决

对于 pin长了,top就能看到很多问题这个解释不是很赞同,也不怎么理解;可否说的再稍微详细点呢多谢了先

没做过,单纯从图上理解: 如果top能看到block上面第一个pin有个转角,自然会去满足double pattern的rule,比如换layer

道理很简单,double pattern 就是如何把一层变成两层mask 。
简单理解,也就是要求很容易数单数和双数。
你列的两个图案例,就是不知道怎么数啊。
block level 没做好,改了就OK。

为什么不能数呢,以A B来区分,如下这样不可以嘛




这样也是满足double pattern rule的啊
为什么说有odd cycle问题呢

你把它想象成两层mask ,每层就是双倍间距(实际可能不到)。
上面这个图显然没法分。(左边的B和下面的A显然没有双倍间距。)另外左边的B和上面的A是同一块啊。
下面这个图,三个中间,任何两者间距都没有双倍。
你可以自己练习,把所有的形状给单双数(1/0), 看同类数字间距是多少。

就是两层mask啊,double pattern说的就是同一层金属要用两层mask来实现;
上面这个图我觉得也是可以分的。(左边的B和下面的A是同一层金属,但是是不同的mask,所以可以不用双倍间距 [只有同一层mask上的才需要双倍间距])

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top