各位大侠请问怎么样生成edi在RC extraction的电容表?
如题,求教了啊?这电容表难道是芯片场提供的?还是说可以自己根绝什么文件生成?对了,还有cdb文件,就是做SI分析的时候使用的一个问价你,这也是芯片厂提供的吗?
captable 是fab提供的,或者自己可以产生的, 就像tluplus一样,
可以用edi的 Usage: generateCapTbl { -ict <ict_fileName> | -pcs < pcs_fileName>}[-basic | [-solverExe <exec_path>] [-lef <lef_fileName>[-shrinkFactor <value>]]] -output <output fileName>[-bestModel]
产生, 读入ict文件,ict文件绝对是fab给的
非常感谢,再请教一个问题:在导出edi的gds后,需要用calibre做drc和lvs,请问这个gds是不是要经过修改?因为我目前遇到的情况是,不修改过不了lvs。这个修改是不是和icfb有关?什么是icfb?
呵呵,其实我是看到你的名字是“icfbicfb”才突然想问你的,再次感谢你的帮助啊。
icfb =ic design from frontend to backend ,
it is a tool package of cadence , composed oflayout , composer , opus ,spectre ,
abstract , etc ,
是一个集成环境, 用于custom design,比如analog design,从circuit到layout,
修改gds 过drc,lvs很正常, 一般来说drc肯定要修改gds的,
lvs主要是打text,改spice等,
谢谢ls的讲解,受教了!
太感谢了,我现在也在学。前几天在做LVS和DRC的时候,edi出来的gds可以过drc(报了几个错误,但是都是可以忽略的错误)。lvs的就是没发过,报的错误是我的io pad的问题,后来拿一位师兄的例子自己做一遍。dc直接脚本跑,edi 用gui做,还是没法过lvs。师兄自己做一遍虽然他也过不了lvs,但是他的错误只要经过icfb就可以解决,我的就不行。大侠,你有没edi牛逼点的教程啊
?拜谢&跪求啊
drc/antenna 检查好学
lvs 有点复杂,错误的报告有时候看的很糊涂的
要慢慢来, 建议先做block level的 PR , 然后做lvs,简单些
带pad这种 肯定是要复杂些的, 有几种电源,
好久的帖子也被我挖出来了~
generateCapTbl这个命令是不是LEF文件和ICT文件都要加?还是只加ICT文件就可以了
这样问是因为我看-ict是必选项,而-lef是可选项,所以不知道加LEF文件会不会有副作用
谢谢帮忙解答~
小编你好:
有个问题询问一下,用encounter做PR的时候,如果我没有用captbl而是用的ict文件,在extractRC的时候,抽取出来的RC参数有什么不同吗?