关于NWELL与N注入的疑惑？

各位大神：
请教一个问题：layout设计的时候通常咱们会让NWELL包完N注入（阱电位接触孔区域的注入）。现在遇到一新情况，因项目需要，NWELL不包完N注入（阱电位接触孔区域的注入），也就是阱电位接触区域的注入比NWELL的边界还大了一点。这样子做行不行?求解。PS：design rule 能过的哈！

另外单独 tap 吧， 可能是

没问题的。也可以的。但有些工艺中，不许这样干。

不是单独的，总觉得这样做有什么不妥，但是又不太说得上来。

好吧，感谢

tap是什么意思