ICC中关于IR Drop的一个问题

请教下，为什么IR Drop发生在了右上角，按理说不都应该是chip的中间部分么

是不是离电压端远?

一是要看你的供电点的位置，二是要看你的那块区域的standard cell的utilization是不是太高了。

哪些地方容易出现IR drop问题:
1. 离电源远-- 你看看右上角是不是没有电源PAD,或者你没接入
2. toggle rate高且cell density 大-- 看图发红的是个mem，不存在这个问题
还是从1着手吧

右上方是个啥， pll么?
还有：你是在postcts后做的ir-drop分析么， cts前 不准的

恩 右上方是个PLL，也是在floorplan阶段，virtual place之后做的ir drop，做ir drop分析好大概计算strap和ring的条数和宽度 (PNS PNA）
那这么说这个没有意义吗?

电源pad只在chip的每条边的中间，右上角是没有电源pad的，但左上角也没有电源pad啊，且两个IP都是和PLL
相关的东西，是因为右上方那个IP下方还有cell导致的吗?

因为clk是pll输出的， cts前 clocktree fanout 很大，因此在这里，
做完cts后图就正常了，