温度反转效应
时间：10-02
整理：3721RD
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求教温度反转效应是什么情况说的是温度是在一定工艺一下，低温时delay会变大 高温反而变好吗 ?
简单来说，工艺在90nm以上的时候，随着温度的升高，delay增大，所以worst corner是PVTmax，但是65nm以下，随着温度的降低，delay增大，worst corner可能是PVTmax,也可能是PVTmin，这就是温度反转效应（Temperature Inversion Effect）。下面简单描述下低温对delay是如何影响的。
对Transistors的影响：低温时，迁移率增大(导致快switching趋势)，但是Vt增大(导致慢switching趋势)，最后结果取决于迁移率和Vt谁起更重要作用。
对寄生参数的影响：低温时，wire电阻更低。
Google下可以找到不少文章。
简单来说，工艺在90nm以上的时候，随着温度的升高，delay增大，所以worst corner是PVTmax，但是65nm以下，随着温度的降低，delay增大，worst corner可能是PVTmax,也可能是PVTmin，这就是温度反转效应（Temperature Inversion Effect）。下面简单描述下低温对delay是如何影响的。
对Transistors的影响：低温时，迁移率增大(导致快switching趋势)，但是Vt增大(导致慢switching趋势)，最后结果取决于迁移率和Vt谁起更重要作用。
对寄生参数的影响：低温时，wire电阻更低。
Google下可以找到不少文章。
写得好
多谢指点
2L 大婶说的很正确，高温就不用说了，最近就遇上低温时worst的情况
学习了。多谢
关于温度反转效应有什么公式能表示吗?只是统计结果，没有理论解释?以前低温快，现在低温慢，怎么得出来的，具体关系是怎样的?
经验，没有公式
这两个图，下面那张才是对的吧，对于65nm以下 delay的曲线应该是个U 形，上面那个65nm的示意图，怎么是直线下降了，如果是这样 worst case应该在pvt min的时候了