starrc时rc与c的区别是什么？
而max情况下rc的RPV更大，RPSQ更大
这意思是rc比c仅仅是电阻更加悲观么?
介质层厚度参数也不一样，但是不同的参数变化方向并不一致，这个有点不明白了
例如metal4的max，rc比c的IMD4b2往小了偏，但IMD4b1是往大了偏，这俩参数啥意义啊?
同问有人说C就是Cap 有人说C是Cell
介质层厚度不同? 不会吧工艺参数是确定的啊
RCmax:
DIELECTRIC IMD4b2 {THICKNESS=0.198ER=3 }
DIELECTRIC IMD4b1 {THICKNESS=0.1125ER=3 }
Cmax:
DIELECTRIC IMD4b2 {THICKNESS=0.242ER=3 }
DIELECTRIC IMD4b1 {THICKNESS=0.0685ER=3 }
目前我猜是对xtalk影响不一样
smic的cell和tran是分开的明确命名。所以我认为C是cap
前几天我刚研究过这个。得出的结论是： 没法简单分析哪个corner是最差的，就算得出结论用单个corner跑也没法保证其他corner时序收敛。原因是：文件里定义的都是工艺上的参数，金属层之间的间距（也就是绝缘层厚度），间距越大，C越小，可能cmax cmin就是通过算电容按值排列命名的吧。RC的话应该考虑进了电阻的影响，可能rcmax rcmin 是根据两者相乘的积来定的。
所以，就算看懂了ITF，也是毫无头绪的，得不出什么结论。signoff官方规定要跑12个corner，也就是你四个都要做验证。
最正规的就是apr时跑四个corner优化:cmax cmin rcmax rcmin ，抽参数时抽4个corner -40 和125 共8个spef，后面PT想分析啥就分析啥。
介质层厚度发生变化? 这样的ITF要说明什么呢?
由于工艺波动的存在，导致互连线工艺参数值（每层金属导线的宽度W、厚度T、层间绝缘介质厚度H以及线间距S等）与标称值之间存在差异，为了能够尽可能准确的提取互连线的寄生参数，工艺厂商提供了5个RC Corner——Cmax、Cmin、RCmax、RCmin和typical，查这5个Corner下的工艺文件可以发现：Cmax下的W和T大、H和S小；Cmin下的W和T小、H和S大；RCmax下的W、T、H小、S大；RCmin下的W、T、H大、S小。这就说明Cmin下的线电容小，Cmax下的电容大，RCmin下的电阻小，RCmax下的电阻大，本人有通过实验证明，也有同样的结论。
实际介质层厚度是不一样的
都做就好了，
tt Corner是不是可以忽略