问个题目

按理来说， 温度下降 是有利于性能提高的，
温度上升导致性能下降，
vdd降低是绝对会降低性能的，
还是降低频率吧， 这个比较实际，

这里说的性能是什么性能呢降低VDD除了能节省功耗还能改良啥性能呢 莫非是良率不好? 一般来说降低频率更保险了

cell的delay取决于电子迁移率,而迁移率一般取决于平均自由程序,平均自由程一般取决于散射几率,散射概率越大,平均自由程就越小,则电子迁移率也就越小.且,对于掺杂的硅半导体,主要有声学波散射和电离杂质散射,在掺杂浓度不高的情况下,电离散射可以忽略,则声学波散射为主体,而声学波散射几率随温度升高而快速升高,则散射几率大,则电子迁移率变小,则delay变大.则为setup方面出现问题,则需要降频率.
而温度下降的时候,性能下降的话,一般是hold出问题了,则需要降低VDD去改良

谢谢！

你好，请问为什么温度下降的话HOLD会出问题呢?并且为什么降低VDD会改善HOLD?

4#的意思是hold出问题的话可通过降低vdd改善，降低vdd的延迟变大，hold会得到改善

受教了，不错。

降低VDD所有的hold 都能满足?最终只会导致setup 不满足，再降频即可?

低温 芯片跑得快啊， 不过65nm以下低温反型效应，也未必， 主要电压不能跟着下降，

如果是由于低温产生Hold问题，应该不是简单的性能问题，而是功能正确性的问题吧?