cworst and rcworst区别
tsmc 90nm ，foundry提供的tlu+文件共有五个corner，cbest, cworst, rcbest, rcworst and typical
我想问一下cworst and rcworst的主要区别是什么?
从字面的理解来看，似乎一个有R，一个没有R
那岂不是rcworst比cworst更准确，cworst存在的意义是什么?难道仅仅为了降低runtime?
你可以具体看看itf/tluplus的文件， 里面有具体的R、C信息
我的字面理解是 rcworst比cworst 电阻要更大， 所以对delay增加更大，
研究了一下itf，rcworst确实比cworst的电阻大，但电容却比cworst小。
所以RC并不能保证哪个corner大，不知道哪位大侠可以告诉我，究竟是PR时就将rcworst and cworst都分析一遍呢(analysis of setup time)，还是PR只选一个，而signoff时将这些corner都PT一下?
这个看flow了，有的公司喜欢MCMM ， 所有signoff corner都和PR 一样，
有的只看重signoff， PR的时候选一个就行
不管哪种，只要最后全部signoff即可，
全在这里胡说八道，不懂的别瞎说，误导人。
我发过这样子的帖子，提到过这个问题。
在哪里?多谢
Cworst 应该cell worst,RCworster应该是金属线的worst.
同问，一年多了也没人回答
TSMC的rcworst不一定比他的cworst时序差，至于要用哪个corner sign off，应该按照TSMC的推荐flow。
拋開TSMC，很多foundry都提供cworst and rcworst，且不一定提供flow，那么該如何選擇呢，當然穩妥的方法是全部run一遍。而這兩個corner實在不清楚哪個rc更悲觀，有什么簡單的方法判斷嗎?
老大，您的帖子呢?给个链接好吗?
cworst 是Capacitance worst
delay是根据RC模型来计算
cworst是选C worst的情况来计算
rcworst是选R wosrt（C尽可能的选worst）的情况来计算
typical以及cbest rcbest类推
A typical set of parasitic corners is listed below:
TYPICAL - all metal parameters at nominal values (nominal thickness, width, spacing)
CWORST - maximize C
CBEST - minimize C
RCWORST - maximize R (and make C as high as possible given maximal R)
RCBEST - minimize R (and make C is low as possible given minimal R)
那么rcworst and cworst哪个更悲观for setup?rcbest and cbest哪个更悲观for hold?
目前工艺，setupcworst最差，holdcbest最差，至少在encounter里面report_timing可以用这两个corner。可以涵盖大多数
顶起来 求答案！
做过一个TSMC28nm项目,setup是cworst最差
我做的项目里，对Setup而言，cworst是最差的；Hold：cbest.
请问这一段的出处是?
请参照这个链接有详细的讲解，基本概念不能含糊。
http://en.wikipedia.org/wiki/Process_corners
把所有的corner 跑一遍看哪个最差！ 最保险