后端面试--每日一题（004）

What are several factors to improve propagation delay of standard cell?
哪些因素可以影响标准单元的延迟?
难度：3

这个我先回答一下，PVT
P : Process
V : Voltage
T : Temperature

input transition （输入转换时间）
output load（输出负载）
delay=f（Ttransition，Cout）
所以fanout越大的地方，延时会越大，因为要给更多的电容充电

以上都对，还有一个

宽长比?频率?

有点接近，什么的宽长比?

driver的，load的，cell本身的都有影响，当然前两个可以归结到transition and load中

答案应该包括
1） PVT
2）input transition， output load
3）Vth

请问 Vth 是指?

支持一下，我也马上毕业了，得好好准备下

Vth = input Threshold Voltage

这个确实是. 多谢.只是想着lvt速度快, 功耗大.
穿上个马甲, 反过来, 什么影响std速度.
我就不知道了.

Vth：阈值电压。

增大驱动能力，增大电压，改善结构

Vth 如果指管子的参数，那么参数就太多了。
我估计指 衬底电压差。

学习了。太好的帖子系列。

学习学习

门的转换Vth，对做过全定制的人很好理解

问下小编Vth 如何影响标准单元的延迟?
谢谢！

Vth 會影響MOS current的大小, 當然就會影響你對電容充放電的時間..

MOS管的导通阈值。

小编的博客我都看啦！哈哈

顶起好东西

Q:What factors can affect the standard unit of delay?
A:
1. input transition and output load of the standard cell
2. PVT
3. Vth (Threshold Voltage) of that standard cell

好东西分享了！

跟着小编学到好多东西啊

学习了，感谢小编。

这个答案是不是相互包含了，感觉就是input transition 和output load，其中input transition受PVT的影响，PVT中的“P”决定了Vth。
不知道是否理解有错

1.PVT
2.输入transition
3.输出load：fanout

一个是cell内部的因素，包括cell的大小，这个影响cell的导通电阻，还有阈值电压也属于一个内部因素，外部就包括温度，负载，输入transition，工作电压等，个人总结下。