请问怎样由GDS抽取cell级的寄生参数？

本人做的项目电路和版图都是是反向提图得来的。用calibre和starRC好像由gds格式的版图只能提取晶体管级的寄生参数，不能用来做STA。请问高手们有什么好方法没?
需要说明的是，电路和版图都已经整理成一个个的cell了。

应该可以使用StarRC的命令，GDS_FILE, GDS_LAYER_MAP_FILE, SKIP_CELL来抽取CELL级的RC。
具体怎么用，我忘记了。可以看一下手册。

谢谢你的回复。手册我看得比较多了。我走的是calibre+starRC的流程，从手册上看只能提取晶体管级的。我想知道，此流程有没有可能提取CELL级的，如果不能，还有其他流程可以从gds中提取cell级的吗?

calibre+starrc的流程我不太清楚，但是可以只用starrc来提取gds的cell级rc参数的，生成的如spef文件是可以用于STA的。

如果是大尺寸的，走spice仿真算了，
cell level的一般是从gate level下来的， 反过来做还真不清楚怎么做，
从gds 到cell level STA ，

小尺寸哦，我们要做65nm的。是不是有点离谱了。

我们之前是这么做的，芯片小,的确行。现在要做的项目太大了，根本跑不动后防。

有了cell级的电路图和版图，自己建库。先找个相同工艺foundry提供的stdcell 库，然后自己把里面的参数根据自己仿真得到的数据进行修改

我们想这样做，但是我们的项目全订制的单元太多了，比较复杂，建库很难。

看是否花时间了，基本的逻辑单元就那些，写脚本跑hspice将结果提取出来。

反正我们公司想走这个流程的人换了好多一拨了，全部没有下文。你有没有流片成功过?

我没走过这个流程，正向设计基本的逻辑单元都采用foundry提供的单元库，公司自己没必要大规模建库，layout费时，库参数正确性也难保证100%。除非有长期的需要，可以招个人专门去做。

没明白你的流程。
首先，你的cell 有没有库文件?如果有，提取不难，如果没有，提取了无意义。
其次，既然已经整理成cell based 的gds，starrc 和 calibre 好像都有提取spef 的参数吧。我去查查。
三，贵公司做什么的，如果该流程很常用，考虑过外包请人做该流程的吗?

我们打算做晶体管级的STA。我们有非常稳定的外包伙伴