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加well tap解决闩锁效应问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
如题,加入well tap解决latch_up效应时,其中的原理是什么啊 ,谢谢了

因为well tap是重掺杂,可以减小well和sub的寄生电阻,从而减小寄生transistor的基极偏置电压,防止transistor工作在放大区,产生正反馈回路

减小寄生电阻,防止正反馈电路工作。

谢谢哈,那还有在加well tap的时候,究竟在chip的那一块加呢,位置有什么需要注意的地方么 ?

我的理解是加在器件的旁边,相当于给MOS的衬底设一个电位。对NMOS接GND,对PMOS接VDD。

翻翻书,看看CMOS工艺关于well tap和substrate tap是怎么回事就知道了

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