加well tap解决闩锁效应问题
时间:10-02
整理:3721RD
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如题,加入well tap解决latch_up效应时,其中的原理是什么啊 ,谢谢了
因为well tap是重掺杂,可以减小well和sub的寄生电阻,从而减小寄生transistor的基极偏置电压,防止transistor工作在放大区,产生正反馈回路
减小寄生电阻,防止正反馈电路工作。
谢谢哈,那还有在加well tap的时候,究竟在chip的那一块加呢,位置有什么需要注意的地方么 ?
我的理解是加在器件的旁边,相当于给MOS的衬底设一个电位。对NMOS接GND,对PMOS接VDD。
翻翻书,看看CMOS工艺关于well tap和substrate tap是怎么回事就知道了