LAYOUT中多晶硅和金属布线的时候是否可以交叉？

在一些复杂的版图设计当中,金属布线不能满足需求的时候或许可以采用多晶硅布线,尤其对于一些弱电流路径例如MOS管的栅极.有一点我不明白,在一个金属层上金属和多晶硅布线时可以交叉,难到不怕短路吗?
呵呵,对IC工艺了结的有限,问了这样的问题,谢谢指点！

有contact才会短路， 不同层的， 你应该学习下工艺

所在的层都不一样
poly层在M1的下面，两个楼上楼下，怎么会短路啊

多看看工艺方面的资料，就可明白其中的道理。

From bottom to top...
N/P Substrate->Active region-> N+/P+ ->Gate Oxide->Poly Gate->Contact->Metal 1 -> Via 1 ->.....
Metal 1 and poly gate is not the same layer.

Yes, it is process technology question.

楼上楼下，可以交叉
面对面，不能交啊，
否则会有麻烦的

呵呵是的！

Your knowledge on process is not enough.
Please study some good VLSI book as soon as possible.

一个金属层上只是布一层金属线，二多晶硅不属于这一层，所以两者分别在两层，除非用contact否则不相连，也就不会短路了。

metal下有隔离，除非打孔，不会短路的

长长知识,虽然不会短路,但是会有不良影响吗?

呵呵,多学习