CC1310 内部flash 如何进行读写操作

TI的大神们，请问下如何读写CC1310内部FLASH的内容？ 目前通过修改.cmd的文件修改FLASH的大小如下图，留出空间来供外部访问，但是这样通过debug模式运行可以正常跑起来，但是断电重启或者直接烧录生成的.hex文件，芯片都无法启动，还请帮忙分析下，感谢！

默认配置

#define FLASH_BASE 0x0
#define FLASH_SIZE 0x10000

修改后配置

#define FLASH_BASE 0x0
#define FLASH_SIZE 0xF000

你好，什么叫留出来空间，供外部访问？ 

你们是想在Flash里面单独划一块空间，用来存放数据吗？ 

如果是这样的话，FLASH_SIZE依旧写 0x10000，然后数据直接往Flash对应的地址操作就可以了，只要保证你们的程序和要写的数据不冲突。

另外hex文件跑不起来，应该是你们调整了FLASH的空间，默认是要把CCFG这块内容放在Flash最后的，但是你们调整了SIZE以后，CCFG就没有放在最后了，所以程序跑不起来。

参考 https://e2e.ti.com/support/wireless_connectivity/proprietary_sub_1_ghz_simpliciti/f/156/t/515170

对比了下两种配置的flash里面的内容，只有下面这两处有差异，其它部分都是一样的这个不知道怎么回事导致修改后芯片无法工作，还请帮忙查看下

这段内容就是ccfg的内容，一定要放在flash的最后面，否则程序是无法运行的

你可以看下ccfg.c和.cmd文件的

SECTIONS
{
.text : > FLASH
.const : > FLASH
.constdata : > FLASH
.rodata : > FLASH
.cinit : > FLASH
.pinit : > FLASH
.init_array : > FLASH
.emb_text : > FLASH
.ccfg : > FLASH (HIGH)

#ifdef __TI_COMPILER_VERSION__
#if __TI_COMPILER_VERSION__ >= 15009000
.TI.ramfunc : {} load=FLASH, run=SRAM, table(BINIT)
#endif
#endif
.data : > SRAM
.bss : > SRAM
.sysmem : > SRAM
.stack : > SRAM (HIGH)
.nonretenvar : > SRAM
}

Hi VV 按照你提供的方法已经可以正常操作flash了，非常感谢！

非常感谢，这个里面内容是正解