请问下,如何读写cc2530内部flash的不同 bank 啊？

本人用的是内部flash 256k的那种,

默认的是读写bank0吧,用的是z-stack里的函数

HalFlashErase(127);

while( FCTL & 0x80 );

HalFlashWrite(0xfe00, write_buffer, buffer_size);

HalFlashRead(127, 0, read_buffer, buffer_size);

这样单独一个工程是可以的,因为本身生成的烧写程序小,但是如果工程大,

生成的烧写程序也大,这样就会擦除了代码的部分,程序也就死掉了,

不知道是不是我用的bank切换的不对,  用了FMAP进行映射 比如FMAP=7读写最后的部分,

程序还是会跑飞,

求指教下,谢谢

Page 125 126 127这三页 不要用。

怎么了,这三页,另外,我想的是切换到别的bank,比如从bank0切换到bank7,切换bank后程序就死了.....知道咋回事不

另外,我在bank0里面,读写127页,没有问题啊

Page 127就已经是bank7了

读写的时候不需要先用FMAP进行映射,而是直接进行读写吗,

闪存写的序列算法如下：
1． 设置FADDRH:FADDRL 为起始地址（这是18 位字节地址的16 MSB）。
2． 设置FCTL.WRITE 为1。这启动写序列状态机制。
3． 在20us 内写四次到FWDATA（因为如果不首先反复，最后一次FCTL.FULL 变为0）。LSB 首先写入（最
后一个字节后FCTL.FULL 变为高）。
4． 等待直到FCTL.FULL 变为低（闪存控制器已经开始编程4 步骤3 写入的字节，并准备好缓冲下4 个字节）。
5． 可选的状态检查步骤：
如果步骤3 中的4 字节写入不够快，操作超时，这一步的FCTL.BUSY（和FCTL.WRITE）是0。
如果由于页面被锁不能写入4 字节到闪存，FCTL.BUSY（和FCTL.WRITE）是0，FCTL.ABORT 是1。
6. 如果这是最后4 字节，就退出，否则返回步骤3。
写入操作可以使用以下两种方式之一执行：
● 使用DMA 传输（首选方法）
● 使用CPU，运行来自SRAM 的代码
闪存写操作正在进行的时候，CPU不能访问闪存，即读取程序代码。因此执行闪存写的程序代码必须从RAM
执行。

感觉好复杂的样子

我用的就是z-stack里的函数,用的是dma的方式,但是,现在是我不知道怎么读写特定的bank,我的程序有点大,bank0是完全被沾满了,我如果直接用flash擦写就会擦掉代码的部分,程序就会跑死,如果是单独的flash读写工程,因为代码少,那么用同样的方法读写flash都是正确的,现在问题的关键是如何操作bank,或者怎么在bank间切换

DMA写 不需要手动切换BANK吧，DMA会自己映射过去访问

你好，请问我直接用里面的flash读写函数

HalFlashWrite(0x8400, "abcd", 1);

HalFlashRead(66, 0, FlashTempValue, FlashValueNum);

但用串口打印不出来东西，是我哪里出错了，是DMA需要设置吗，还是我的读写地址错了，麻烦能帮我分析下吗，搞了好几天都没弄好，急求！

请问你这个问题解决了吗？我也遇到这种问题，能不能指导一下？