CC2530 flash掉电存储

     我在测试CC2530的flash读写功能时，发现在debug模式下，flash能够正常的读写。生成hex文件后烧录到板子里，通过串口能观察到写入flash里的数据，但使板子掉电重新上电后，flash里的数据变成了oxFF.请问为什么flash不能够实现掉电存储？

HalFlashErase(0x40);
while( FCTL & 0x80 ); // wait for erase to complete

HalFlashWrite(0x8000, buff1, 1);
HalFlashRead(0x40, 0, buff2, 4);

生成hex文件的时候，你需要在f8wCC2530.xcl文件中，把

// Include these two lines when generating a .hex file for banked code model:
-M(CODE)[(_CODEBANK_START+_FIRST_BANK_ADDR)-(_CODEBANK_END+_FIRST_BANK_ADDR)]*\
_NR_OF_BANKS+_FIRST_BANK_ADDR=0x8000

在f8wCC2530.xcl文件中，这些东西都是默认的(0x8000)，无需修改.

      原因我已经找到了，之前我是将数据写在flash里的第64页，第64页是flash中间位置，工程的代码过大时该页就会被使用，导致flash读写无法使用。所以写在100页至125页比较稳妥。