请教mos管的Rdson和驱动能力

用的一个芯片，高压mos管，发射10MHz级别脉冲的，它的文档里描述驱动能力有两档，1A和2A，
分别对应Rdson是25ohm和15ohm，
建议高电压短脉冲用2A，低一点的电压较长的脉冲用1A模式。
有点疑惑的是，Rdson不是越小越好么？大的内阻通过大电流发热受不了，为什么不干脆全部用低的Rdson?

RdsOn低的，通常Qg也大，要求更高的驱动能力，所以RdsOn低要够用就行了，追求非常低在工程上没有意思，而且价格也高。
这是个按起葫芦浮起瓢的事，要综合权衡。

电流大，电阻低的模式对应结面积大，结电容大，驱动mos产生的热量大，开关速度慢。mos管的热量来自两部分，驱动结间电容电容充放电的热量和导通时电流流过Rdson的热量。这些都要权衡考虑。
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看了另一本手册，是这么解释的，不知道有没有道理。
Vgs基本不变，导通电流由Rdson决定，Ion=Vgs/Rdson,
所以为了限制电流，就调整Rdson

你记错啦，是Vds吧

你回的啥？

谢谢提醒，是Vds

rdson低的话die面积也大，qg也增大了，驱动也更难了