有人用过SRAM的data retention模式么

如附件草图。
SRAM的CE信号，在系统掉电后保持高电平，就能进入data retention模式，靠电池维持数据；
但现在的电路，掉电以后，电池跑电比较快，
经测量，上拉电阻（10K）下端的电压只有VBAT的一半，怀疑是164245的引脚对地有10K左右的电阻，这样相当于电池对20K的电阻放电，所以跑电很快
这个情况该如何解决呢

尝试使用支持Ioff的4245，似乎是16T245，引脚兼容。
这个是一边掉电后全引脚HiZ的那种，不会有BackFlow，NXP有？
如果不支持/用4245/一边总有电的，
那控制脚用哪边的电要根据手册看好；有的还有VCCA和VCCB压差的要求，etc。
印象中SRAM数据保持挺费电的啊，10mA数量级？

我查一下你说的型号
有的sram支持这种模式 耗电亚ua级别  
  

那调研/测试一下芯片吧。
Anyway，先把板子上的4245吹下来测测电流适当与否？确认一下是4245的事儿么。
然后就是选个合适的片子了，这样的范围小很多。

看了一下 16t245确实支持你描述的情形
但是我现在是245两边都不带电 不知道这种情况他io还都是高祖么
  

嗯 我回头实测一下
先拿掉原来的 看看漏电是不是在这
再换你说的片子试试看
主要是板子做了 所以比较被动
  

好歹还有手册上看起来或许可行的解决方案么。。。
比查了手册发现没法飞线强。

换片子可能没用。245的IO引脚与5V VDD之间有一反接二极管。
割断电路板245引脚连向SRAM CE的铜箔。加一5V电压的信号继电器，
线圈接245的5V电压，常断触点接在245的引脚与SRAM CE之间。
用模拟开关或MOS管、三极管也可以，不过防漏电效果没有继电器好。

带Ioff的芯片基本不会有BackFlow，可以看看手册。

嗯 我原来就是打算切断了 加个mos管当开关
不知道选什么参数的mos管  
  

后来我找到有干这个事得专用芯片了 关键板子已经焊了好多了
以前的板子还得想办法修  
  

请教一下 那种类似光耦的固态继电器，直接串在信号线上就行了吧，有什么需要注意的
是不是导通电阻几十欧姆都问题不大

没问题。

问题是你信号多少MHz，选的固态继电器看好带宽等指标。

怎么可能，工作模式也不至于到10mA，当然不是指所以sram，保持数据通常都是ua级