请教：SDRAM预充电问题

SDRAM操作是频繁的读写，第一次，写一次，读写的行地址不同，是不是每次读写结束都要预充电？如果我读写的地址不在一个Bank内，读是一个Bank的连续行，写是另外一个Bank内的连续行，读写结果还需要预充电么？

有必要了解一下 SDRAM 的结构和读写过程，
就明白预充电的意义到底是什么了。
建议看如下文档：
http://www.ece.umd.edu/courses/enee759h.S2003/lectures/Lecture2.pdf
(重点是第4-6页)
http://bbs.21ic.com/upfiles/img/20096/20096217254732.pdf
要点：把 SDRAM 内部的长连线看作是电容。预充电就是将这样的电容充电至
      电源电压的一半。