国家存储器基地项目在武汉开工 总投资240亿美元

新华社武汉1月2日电（记者李思远、陈俊）总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日
在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国集
成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
　　此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全
球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建
筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成
投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片／月，年产值将超过100亿美元。
　　据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基
金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研
发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产
业相关环节的发展。
　　存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造
工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。

紫光为啥这么多钱

国家知道IC重要，然后信任老赵，就给他钱让他来操盘