杨士宁博士在国家存储基地高峰论坛上的致辞

（2016年3月28日，国际存储器高峰论坛与存储器基地项目启动仪式同期召开。武汉新芯总裁兼执行长杨士宁博士在论坛上发表致辞。以下为致辞全文。）
尊敬的各位领导，各位业界同仁，嘉宾们，媒体朋友们：
        大家下午好！
        首先，非常感谢在座的每一位领导，嘉宾和老朋友们在百忙之中抽出时间参加我们早上的启动仪式和这次的国际存储器高峰论坛，特别是有些远道而来的客人还经历了长途跋涉。大家辛苦了！
        本次论坛与存储器基地项目启动仪式同期举办，是为了趁此良机，将各位IC企业、高校、研究所及金融投资机构的领军人物和知名专家聚集在一起，共同展望、探讨存储器行业面临的挑战和发展方向。
        尽管我们的存储器产业目前还在起步阶段，但也正面临着非常难得的历史机遇。从大环境来说，物联网和智能化时代的到来，使存储器的地位越发重要，大数据、云计算，乃至人们生活点滴的保存，都离不开存储器。根据IBS的数据和预测，今后十年，NAND 的平均产值年增长率为～9％，DRAM 为～7％，都高出逻辑和模拟 IC 产品的增长率。存储器产值将占IC总体产值的1/3。
        从存储器技术来看，日益壮大的NAND闪存正面临技术转折期，由传统的2D NAND转向3D NAND。后者与前者相比，性能更强、功耗更低、可靠性更高，将会逐渐替代前者并广泛应用于电脑、手机、服务器等各类电子产品。
        众所周知，中国是世界上最大的IC市场，占全球份额的55％以上，也是最大的存储器市场，大存储产业的成长是芯片制造自产率快速提升的必经之路。
        我们决心打造一个以技术为突破、以市场为导向、以盈利为目的，符合国际一流管理和营运规则的专业化企业，实现中国大存储器产业零的突破，让技术和生产更贴近市场，创造更高的价值。
        但我们知道有很长且很艰巨的路要走，这是一个持久战，必须依靠业界朋友们的全力支持，同时我们也愿意和大家开展任何形式的双赢合作。
        只要我们胸怀宽广，朝正确的方向，用正确的人，做正确的事，不放弃、不罢休，我们就一定能成功。
        本次高峰论坛的议题涉及各类存储器的前沿技术和工艺，将会展望存储器的发展趋势与挑战。我相信这次论坛与上午的启动仪式会相辅相成，为大家提供一个交流和学习的平台，为中国存储器产业的发展提供有价值的思路和策略。祝国际存储器高峰论坛成功召开！
        最后让我借此机会，再次感谢各位领导，感谢参与我们联合技术研发的美国Spansion(现在是Cypress的一部分)公司和中 科 院 微电子研究所，感谢所有合作伙伴的长久信赖和支持！我们面临的历史机遇，也是大家的机遇，让我们同心协力，共创辉煌！
        谢谢大家！

顿博好久不见

现在才看到不是杨振宁，哈哈哈  
  

台妹还有吗

顿博现在是叫兽了。