有做过tsmc 28nm RF的设计吗？

有人用tsmc 28nm 做过RF设计吗？ 有些问题请教
1. 是用28nm哪个工艺？ HP,HPC,HPC+,LP?
2. RF电路和模拟电路一般是用core device设计吗？ 供电电压是多少？我看到core电压都到0.9V及以下了，模拟电路和RF电路怎么设计呀？难道要用IO device来设计，这样电压可以高
3. 是不是可以不采用最小的L，比如将L加大到0.1um及以上用来设计模拟电路，这样是不是VGS，VGD，VDS耐压可以升高？VGS是不是不会随着L的加大而耐压升高呀？
4. 现在市面上有用tsmc28nm出货的RF产品吗？ 比如bluetooth，wifi等
非常感谢

我不懂RF设计除了PA为什么要考虑直流电压。。
28nm RF设计的主要障碍不在电压上，在gate resistance

headroom for linearity

高通的WTR3925是第一款采用28nm工艺的射频芯片，支持2G/3G/4G全通网络和GPS.

会不会WTR3925好多模拟和射频电路并不是用低压比如0.9V做的，而是用IO device 1.8V设计的？

同问，在这样的工艺尺寸下
process的变化会不会很大
电路是不是需要增加各种auto calibration才能保证良率

HPC好像是HPM的升级版，由于工艺成熟了，各种corner的variation变小

电压先别急着考虑。随便做个放大器，画个版图试试，估计能被郁闷死。