遇到一个奇怪的问题,谁能给点线索
时间:12-12
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EEPROM标称50W次写操作,
但写了几万次之后,2万到10万次不等。写EEPROM就会出现一个诡异的现象。
写EEPROM,编程完成之后,有个读回来校验的代码,这个校验大部分的时候是可以通过
的,也有不能通过,但次数很少。
然后再次读取EEPROM中的数据,这时读回来的数据是错误的。错误的位置在同一个页里
是固定的,不同页的错误位置不同。
连续读几次,大部分是2~3次读取操作之后,读取到的数据又会恢复到正确,之后读取
到的数据都会是正确的。偶尔也出现过读了1000+次之后数据才恢复正确的。
有没有大神知道这个现象是什么原因引起的?
但写了几万次之后,2万到10万次不等。写EEPROM就会出现一个诡异的现象。
写EEPROM,编程完成之后,有个读回来校验的代码,这个校验大部分的时候是可以通过
的,也有不能通过,但次数很少。
然后再次读取EEPROM中的数据,这时读回来的数据是错误的。错误的位置在同一个页里
是固定的,不同页的错误位置不同。
连续读几次,大部分是2~3次读取操作之后,读取到的数据又会恢复到正确,之后读取
到的数据都会是正确的。偶尔也出现过读了1000+次之后数据才恢复正确的。
有没有大神知道这个现象是什么原因引起的?
这年头还有人在这里讨论技术问题,真有定力
我觉得嘛 微电子行业的技术就这样子好了 不然越搞越便宜 集成度越高 大家都没饭吃
就保持现状,大家各占各地,就卖卖东西好啦
你看过读取错误一般是1变成0了还是0变成1了?
读取正确后,再次擦写,再读取会保持正确吗?
多换几个不同型号的eeprom确认你读写电路功能没问题时序没问题校验代码没问题再说吧。
不排除你拿到的eeprom确实是淘宝上买的山寨货。
多数是1变0,也有0变1的情况,关键问题是多读几次,数据就会恢复正确
我错误一般出现在快速对同一个页做读写操作的时候。
会不会是相对应的cell 附近有 leakage defect? 复读的 read disturb current charge up/discharge bit line, 然后暂时可以读写,不过 erase 后再重复这个过程?
你说快速对同一页读写?是指又读又写?
如果长期读,反而没事儿?
读回来校验如果不通过是不是应该再写、再校验,再写再验,直到通过或超出次数限制?
你这个就像是一直在校验,后来终于全部通过了。
是的,就是写入数据后,然后读取数据,这时数据不对,多读几次,数据恢复为对的,
然后再次进入下一个写入读出测试循环,这些测试是对同一个page操作。
不是每个写入读出操作都会出现上述的错误,但错误几率很高
另外测试过,读的数据对了之后,再怎么读数据都不会再次出现错误。
问题是校验那次读到的数据有时是对的。再次读到的数据才是错的,多读几次数据又是对的。