关于晶振电路的问题

新手设计crystal oscillator，放大器做在芯片内部，晶振外接的那种
频率32M，一般放大器都是用反相器来做吗，为什么我的电流比别人大很多。。
就是在保证gain margin>5的情况下，反相器消耗了太大的电流

确认下你们用的晶体是否一样,包括Q值，静电容什么的，其次确认你负载电容定义没搞错，如果还是一样，那么他们可能使用了限幅电路

人家的电流是多少？
你做的是多少？
你们的jitter目标有差么？
一般都做两管子的反相器。简单可靠面积小。除非要求特高，要不也很少做的太复杂。32M我没做过，一般的27M OSC，整个0.5~1mA还算正常吧。

太坏。这么些人问了半天也没人问到底电流多少么

不管什么电压都差不多。当然我是说一般的CMOS工艺。
不要jitter的话，你就算算，根据晶振模型，可以算出来gm最大最小范围，5mA的话，反相器gm应该超过gm min很多了。一般离着最小gm有个5~10倍差距有很好了。实在想减电流，做个单管的共源级也很好，gm更好控制，只是要小心jitter可能很难控制。

谢谢大家的指点，我算出来的gmmin=3.5mA/V,在3.3V电压下，未起振时的反相器静态电流为8mA时，才可以达到gm=25mA/V,感觉电流很难下去。。。
另外CL=20pF  仿真应该取C1=C2=40pF吧？
我看到有文献里有Current-controlled CMOS-inverter oscillator结构（见图）就是让反相器工作在一个指定的电流源下，这样相当于减小了电源电压，只要反相器管子尺寸够大，就工作在weak invertion状态，可以用最小的电流获得最大的gm，但是这样需要p管得源级接一个很大的电容Cc（>100pF)，又会占用很大的面积，另外输出也不能达到rail  to  rail了 ，不知道业界这样做得多不多