请教一个DDR2无法正常precharge的问题

手里有一颗芯片，内有DDR2控制器，分别做了两个板，外接同样型号的Hynix的DDR2，走线也很类似，配置程序也完全一样，但是现象很奇怪
在其中一个板上一切正常，SVCC 1.8V，时钟到400M无压力，很稳定
另一个板现象就比较奇怪，最初表现如下：
  bank0中任意写一个row后，再读任意其它row，会发现所有row都一起变化，现象稳定，一个row内的读写则正确
  bank2~bank7的表现和bank0一样
  bank1则能区分对不同row的操作，不会出现所有row同时变化的现象，但是快速读写就不稳定了
从现象上看怀疑过两个原因
  1.不能正常precharge
  2.DDR2坏了，一个bank中只有一个row是好的
于是做了如下实验：
  step 1.bank0 row0写0xffff0000，断电并迅速上电
  step 2.bank0 row1写0xaaaa5555，再断电并迅速上电
  step 3.读bank0 row0，读出的值能看出0xffff0000的痕迹，再断电并迅速上电
  step 4.读bank0 row1，读出的值能看出0xaaaa5555的痕迹
实验结果看来bank中的row应该是好的，只是在上电过后只能打开一个row
也试过用控制器直接发precharge的命令，没有效果
板子长时间放置后会发现数据有少量丢失（控制器有发Auto Refresh的命令）
因此判断应该是控制器发的precharge命令没有被正确执行
测量过各信号的波形，看着都还不错，想不通到底什么原因导致了不能precharge的问题，真心求教各位大牛！感谢万分！

有逻分嘛？量一下第二次ROW ACTIVE的波形看看。

看看A10是不是虚了，row地址覆盖一下A10，再进行你上面的实验

示波器分别测量各波形正常，暂时没有几个波形同时测，因为比较密，又怕飞线出来影响信号

A10是不是虚了不好判断，只能测到中间的排阻是好的，但是DDR2是BGA封装，不确定PIN上也是好的，但是应该不是这个问题，因为实际上这个板上有两套SOC+DDR2，两套同样的现象，另一片是winbond的
另外，就算A10虚焊影响的应该也只是precharge all还是single bank precharge吧，无论是哪个总应该成功一个吧

硬件连接是否正常，BA0~BA2有没有短路或者开路，用万用表测量一下ESD二极管是否存在；
不同厂家的DDR2的auto refresh 所需要的时间可能不一样，有些90ns，有些110ns，你确认一下
实在不行把所有的timing参数设到最大；

有没有试试auto precharge？
另外，如果aref会丢数据，可以试试sref，看看是不是也有问题。