请问一个模拟电路电流镜的问题

一个模拟电路电流镜，copy电流的MOS管dc处于线性区，但是电流大小满足电路设计要求。
请问这会带来什么额外的问题吗？需不需要，有无必要把该Mos管调整到饱和区呢？
一般来说这种电流的Mos管大家都是喜欢处于饱和区的，对吧？
谢谢

如果电流很小的话，线性区就线性区了，不过我们一般管这个叫亚阈区。

spectre和hspice经常搞错
我估计楼主是直接从仿真器report里面抄出来的

亚阈值区是anotate出来的Vgs<Vth吧？
我说的线性区是指：Vds<Vdsat，难道还有另外的概念吗？
虽然很基础，但是也想了解一下大家平时的设计习惯啊

通常不会这样做吧，corner的时候电流的变化会比较大

同等面积同等电流的管子比较，如果处于线性区，其mismatch，noise，输出阻抗性能都会恶化

不是不可以这样用，只是比较少这样用
因为用电流镜的大多数场合，电流值偏一点并无关痛痒，主要是要用他的高阻抗。
如果工作在线性区，阻抗就比较低了。

如果你的问题真的表达了你想问的意思的话，
那么答案是除非迫不得已或者有更多的考虑，否则我们一般不这么做。

嗯，主要就是电流镜像不准的问题，比如50u基准电流1:2镜像，理想的情况得到100u，如果镜像的管子在线性区就只能得到90u。
但这个通过仿真能仿真出来的。如果电路能够接受90u的电流大小，那似乎也没啥不可以的啊?

一个管子饱和区，一个管子线性区，那么两者的栅电压一定不等了吧，这样比较麻烦。感觉教科书上都是说电流镜都工作在饱和区，线性区的电流确实没饱和区稳定，阻抗也不尽如人意。

顶这个，在不同corner下电流的变化会比较大，也就是电路会不够robust，这是由于线性区输出阻抗比较小的缘故。
除此之外，noise方面的是否会有影响，谁能分析一下。

以前看过EPFL还是ETHz的一个老教授的paper，忘叫啥名了，当Vgs<Vth时候，也是有也会有类似的饱和区，要求Vds大于一个值，这种可以用于电流镜。要是vds<Vgs-Vth的话，做电流镜貌似不太好。