关于DLL设计
时间:12-12
整理:3721RD
点击:
给DDR2/3用的
目前这种DLL用数字方法还是模拟方式好呢?
比较好的设计参考文献能否推荐一下
谢谢了
目前这种DLL用数字方法还是模拟方式好呢?
比较好的设计参考文献能否推荐一下
谢谢了
数字的。
看工艺,1333以下用综合的也能搞定。
1600看工艺,手做可能更靠谱
这种数字DLL,结构很简单,发不出paper来。
能发出paper来的,结构大都相当复杂。DDR3-1600以下的话,犯不上做那么复杂。
大体上,就是inverter串一串,拉MUX出来。
可以优化的,就是MUX N进1要如何构造,inverter和MUX怎么排阵列。自己琢磨就好了。
decode也不用搞得很复杂,DDR开机以后,DLL code会定死不会随便变动。
code定死的话,不能动态调整,如何补偿温度的变化?
你是做电路的还是logic?
对TX,需要被补偿delay,最大长度是DIMM fly-by + CLK/CMD trace差+chip internal CTS差。这是能算的。fly by max 大约1.8ns,就算你们的PCB & CHIP都极烂,delay line推2.5ns最多了。PVT,P & V事实上是不动的。Temp drift -20C ~ 125C也是能算的。算算就知道,根本不需要做补偿。
对RX,delay line只需要推1/4 clycle而已。DDR2-400,CLK=200M,UI=2.5n,DQS指针1.25n。如此而已。
理论上没问题。差不多计算方法就这样很简单,自己算吧。
真的是不是有问题还是得自己算。我只能说我见过的DDR都是全数字架构,不需要实时校正。
TX时候,数据的瓶颈也很大。
温漂-20到125,可以带来20%到30%延时的变化,这个直接吃掉采样窗口。
虽然算起来窗口挺大的,但ddr SI消耗的窗口也非常大。
当然对ddr400,做起来肯定简单。