请教一下关于数字定制

ARM core走APR流程速度很难上去，想在std cell做一些数字定制以便可以提升一些速度
，对于比较loose的path可以降低一些功耗。但是现在一般foundry提供的library以及h
s library对于基本单元已经很完整了，不知道板上的大牛对于数字定制有什么好的建议
，除了改一些std cell，还有哪些方法呢？

事实上在市面上有很多增强型的std cell可以用，不过都要花钱
比如增加track值以提高速度的库，以low VT的高速库，以MC为卖点的低漏电库。
没有想不到的事情，只有没有花到位的钱...

自己做数字std cell定制应该是最后的办法了。真到了这一步就把这个path当做模电来
设计，来仿真了。怎么改都可以。

没这么容易。处理器设计合理的话各条关键路径已经比较均匀了，这个时候很难靠定制一两个模块提高整体的速度；如果大量定制的话，人员规模和工程控制都很麻烦

如果最后PR会出现一些有violation的path，已经很难调了，根据这些path所用到比较多
的cell进行定制，然后通过替换可以将很多path 的violation减小或者消除，不知道这
种办法有效吗？
还有个方法就是对于比较loose的path，对于用的很多的cell，通过定制cell，在不增加
violation的同事减小这些cell的功耗。不知道这些方法可行不？
上面提到的cell定制都是基于已有的library，不改变function，只是改变单个pin的驱
动能力，或者pin的transition而做到的。不知道你提到的模块的定制是指什么呢？

以MC为卖点的低漏电库？
不懂MC是什么？求解释