Re: 请教一个multi-Vt的设计问题

先target到standard VT库上, 然后target增加一个Low VT的库做增量
也可以只用standard VT做综合留下一些violation让后让ICC用Low VT的库去做

谢谢
用第二种方式是否更好一些? 因为ICC知道实际的wire delay,timing信息更加准确,更有利于优化?

solvnet上有很多这方面的文章, 不同方法各有好处
这两种方法在不同的项目我都用过

哦,谢谢啦,我上去看看
您ASIC和FPGA都精通,太强大了,呵呵

先用svt优化到极致，然后放开lvt优化剩余的violation path
在后端的后期，还可以让tool去把slack为正的path上lvt 回收成svt

谢谢啦
那么,hvt cell有什么优势呢?
我单独试了lvt, svt, hvt三种lib,感觉hvt相对svt而言,leakage差别不大,但是动态功耗有差别,是否是因为hvt cell在状态翻转时,pmos和nmos同时打开的时间比较短

只换critical path的话让be换吧，要不就设target_library到多个vt的db上就行了。