一个奇怪的振荡器停振问题（急！）
整体芯片尺寸大概为750um*750um，共三个PAD，一个VDD，一个GND还有一个信号输入PAD_IN, 如下图所示，PAD_IN和GND之间有一个由psub和Nwell组成的PN结，可以等效为一个二极管，再没有其他直流通路。图中只画出了片上振荡器电路，其他电路没有给出，振荡器电路距离IN和GND两个PAD基本等距。由偏置电路给出的200nA电流镜，灌入三个反相器环路，提供了一个内建VDDOSC=700mV，其中三个反相器中的PMOS共用一个独立Nwell，和S端一起接入700mV节点，消除衬偏。正常上电情况，振荡器可以稳定输出输出频率符合预期。
当在PAD_IN上加入一个负向直流电压时（使用中可能会出现该种情况），比如IN=-0.7V，振荡器输出频率开始降低，随着IN逐渐向负向变化，振荡器输出也会逐渐消失，通过测试内建VDDOSC点，发现，随着二极管的逐渐开启，VDDOSC点电压逐渐降低，当IN=-1.0V时候，甚至会出现VDDOSC=-500mV的情况，也就是Nwell出现了负电位，实在无法理解，而且经过测试IN接入负电位后，抽取电流并不是很大，在几百uA数量级上，VDDOSC的电位就被拉下来了，振荡器自然也就停振。这期间偏置电路则工作正常，基本没有什么影响。其中原因百思不得其解，希望各位给与指点，哪怕说说可以从哪里下手追查原因也好，多谢了！
难道是pad_in 接nwell,psub接gnd，然后vddosc接另外一个nwell.这个会组成一个npn,当你pad_in变负，那么psub和pad_in就会通，npn的ce就会放电，那这个电只能由你200nA的偏置提供。200na当然太小，所以vddosc就会被拉低，要知道npn的放电能力是很强的。另外，几百微安的东西，去做个emmi就知道漏电通路了。
仅供参考
为什么PN结都正向导通了，抽取的电流还不大呢？难道被限流了？
你的PADIN上那个二极管的PSUB和GND之间是Metal Connection还是SoftConnection？
建模的时候要加入package模型信息（bonding wire之类的），再考虑走线电阻。。。。然后你就会明白了！
re...
谨慎觉得查查layout，再看看emmi比较好....
或者对各个pin做latchup test
但是这两个nwell相距很远，几百um数量级啊，这基区也太大了吧？
是metal的，接触没有什么问题，抽取电流不大是因为没有给太大的电压，刚刚过阈值，osc就over了。我觉得电流不大就出现问题，可以排除导线寄生的因素。
你就200nA供电,算你抽了200uA,npn的beta=1/100，那从collect上也抽2uA,远远大于你的200nA了。
这个时候流过电流偏置管的电流肯定比 200nA 大， 原来的VDS=1.8-0.7
现在的VDS=1.8+0.5， 所以说短沟道效应的原因会使这个电流增加很多
所有psub全部是连在一起的吧
你这个很像是所有电流都从衬底里走了
实际上电流镜是个cascode结构，而且L值较大，沟道调制影响应该不大吧？
感觉这个很有道理，而且和bluesmaster也基本是一个意思。那么如何避免那个独立Nwell的寄生呢？双环隔离会有效果吗？
他采用的是1.8V的器件
2.5V的 VDS 电压已经比较危险了
你如果一定要个二极管
建议你 在NNwell 里面做个P+N的二极管使用， 同时 psub 连接到PAD_IN上
不要让有较大的电流经过 psub
问题是这个二极管回避不了，而且一定会有那么一个PN结，要是能回避这个衬底电流早就回避了，问题也就没有了。负电位也回避不了，而且一定会在osc正常输出的时候出现。
加nwell guard ring,吸收PAD进来的electron.
不过你这个电流太小，不知道效果如何。