技术求助：这种基于字线和感应控制的复制技术是否合理？

看到这篇文章（在附件中），他通过复制单元和位线来跟踪位线信号的变化（代替了通常用反相器链来近似控制，用反相器链的不好之处在单元阈值电压变化时他反相器链对其跟踪效果不好），使其在达到所需的位线摆幅后马上启动灵敏放大器，但是我觉得他在接这些多个放电电流源（这里是同时也复制了放电单元）的同时，也使位线上的电容不一致？觉得他的方法不是很合理，版上有没有高手看过类似的文章，这种技术可行不？还有现在在设计时怎么设计其感应信号使其margin较小？

 _s.pdf

文献名称叫做A replica technique for wordline and sense control in low-power SRAM's

这里位线电容不同指的是位线和复制的位线上的电容不一样了，不能产生很好的跟踪效果。

这个pmos的作用一直看不懂，位线上的电容不是增加了，请高手解释一下，为什么这里要加pmos