再问问关于晶振的问题

用在RTC中的32.768k的晶振，用了两个inverter，一个做放大器用，一个做输出级输出时钟信号，想问问这两个inverter的尺寸需要一样吗，做放大器的那个宽长比当然应该小一点，因为这样能降低功耗，那作为输出级的inverter需要加大宽长比吗？如果加大的话能增加负载能力，但是也会增加功耗。
还有，两个负载电容是坐在里面多一点还是挂在外面多一点

第一个放大器用的反相器一般用倒比管，
第二个反相器不用太大吧？多加几级不就行了么？
负载电容要考虑各个地方的寄生电容，里面一般做成24pF左右，一边12pF，
也有做的小点的。
希望没有说错误导你。。。

谢谢你的关注，
负载电容一般晶振有推荐值的吧，
我想知道的是这么大的电容，一般是做在芯片里面还是做在芯片外面？

要做在芯片里还是可以做的
24pF还不是太大
可以串着来点，但是不容易振

晶振参数一般咋选择？
多数都给个LC之类的乘积指标吧
仿真成啥样才能确保投片后起振？
：）

32p768的晶振参数网上能够查到一些
比如www.ecliptek.com
r=35k, c1=2.0fF, c0=0.85pF,2pF Maximum
另外maxim的网站上也列出了几家晶振制造厂，可以去查一下
理论上并联谐振的负阻小于正阻就可以谐振
感觉用相位来分析不是太可靠，呵呵
写个model，分析一下gm的变化，电容的变化，反馈电阻的变化
反馈电阻到了一定大小，一般都能振。
32p768要的比较大，呵呵，把crystal里的串连R等效成并联R就知道了
spectre对32p768的AC分析是不准的，估计是数值精度到头了。
只能手算或matlab之类